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VASPKIT——>VASP输入文件

郭熙564
第一性原理密度泛函理论DFTVASPVASPKIT材料计算计算材料学电子结构计算赝势K点网格范德瓦尔斯校正DFT+UHSE06静态计算

欢迎新来的朋友们。

今天是元宵节,老王在这里祝所有人元宵节快乐。

从今天开始老王要返岗上班了,以后公众号会常有更新,大家有事没事都可以来逛逛。

回到正题,老王在《VASPKIT:vasp 前处理,后处理程序包》一文中介绍了VASPKIT这个工具。但是没有详细介绍具体的功能,后面老王会慢慢介绍。今天先从第一个功能生成vasp的输入文件开始。


vasp的输入文件有以下四个,

INCAR    :设置各种计算参数

POSCAR :设置计算体系的结构文件

POTCAR :设置计算体系的赝势文件

KPOINTS:设置网格密度


打开vaspkit

输入vaspkit,然后回车

出现如下功能界面


输入1,回车,出现九个功能101-109

注意:

vaspkit里101下的每种INCAR参数都有模板,路径是vaspkit/ utilities/INCAR_templates。所以使用前需要设置以下环境变量VASPKIT_UTILITIES_PATH 。

vaspkit里生成POTCAR需要我们设置环境变量LDA_PATH,PBE_PATH和GGA_PATH


101 INCAR

输入101,会出现如下界面

其中两个大写字母代表功能,例如ST代表静态计算,H6代表HSE06计算,D3代表DFT-D3范德瓦尔斯校正。同时使用这三种设置就是STH6D3。


STPU代表DFT+U计算,

STEL就是ELF计算,


102 KPOINTS

准备KPOINTS之前需要POSCAR在文件夹下,然后选择Monkhorst-Pack还是Gamma策略,最后填入k点密度,软件中已经给出参考范围。


103和104 POTCAR

103和104都是POTCAR设置,不同在于103是默认设置(vasp官网推荐赝势)。104自己可以指定类型。


这里以V元素为例说明一下,

V:默认外层电子为5个

V_pv:在5个电子基础上增加p轨道的6个电子

V_sv:在11个电子基础上增加s轨道的2个电子


105,106和107 POSCAR

105和106分别是从cif和xsd格式转为vasp输入格式,107是用于调整元素顺序


108 生成INCAR,KPOINTS和POTCAR文件并且检查

109 检查是否准备好每一个文件


希望大家多多练习。

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