VASP计算能带

这里以计算体相Si的能带结构为例说明能带计算的基本步骤，首先能带结构需要三步计算：

① 结构优化

② 自洽（scf）计算, 得到CHGCAR，WAVECAR

③ 读入上一步的CHGCAR，进行非自洽计算

① 结构优化先前已经讲过了，设置基本的参数，准备好INCAR，KPOINTS， POTCAR， POSCAR和提交作业的脚本，提交作业即可；

② 自洽（scf）计算, 得到电荷文件CHGCAR，所以只需要改NSW和LCHARG这两个参数

1. 新建一个文件夹scf mkdir scf

2. 把优化得到的INCAR，KPOINTS， POTCAR， CONTCAR，提交作业的脚本复制进入scf文件夹； cp INCAR KPOINTS POTCAR CONTCAR scf

3. 把CONTCAR拷贝成POSCAR文件 cp CONTACR POSCAR，得到POSCAR文件

4. 修改参数

NSW=0

LCHARG=.TRUE.

第二步结束后将得到电荷文件CHGCAR

③ 读入上一步的CHGCAR，进行非自洽计算

1. 在scf文件夹里新建文件夹 band mkdir band

2. 把INCAR，POTCAR， POSCAR，CHGCAR，提交作业的脚本复制进入band文件夹 cp INCAR POTCAR POSCAR CHGCAR band

3. 修改INCAR参数，因为需要读入上一步的CHGCAR文件，所以需要修改ISTART，ICHARG，同时记住把LCHARG改为FALSE：

ISTART=1

ICHARG=11

LCHARG=F

ISMEAR=0

4. 准备高对称点KPOINTS，因为能带结构就是在高对称点的连线上的能级，所以先前使用的五行式就不适用了，需要找到计算体系的倒易空间的高对称点路径。