之前我们已经向大家分享过关于差分电荷密度（Charge density difference）的概念和如何使用MS软件计算差分电荷密度《Materials Studio计算差分电荷密度》。今天，我们给大家讲解如何通过VASP计算差分电荷密度并绘制差分电荷密度图。

(1) 优化结构

优化AB体系的结构。（以石墨烯上吸附Si原子为例）

(2) 三次单点能计算

分别对AB体系、片段A和片段B进行单点能计算，得到AB体系、片段A和片段B的电荷密度（计算输入文件，除了POSCAR和POTCAR不一样，其他的都一样）。将上一步的INCAR做以下修改：

NSW = 0 

IBRION = -1

LCHARG = .TRUE.

注意：此时片段A和片段B的结构直接从AB中获取，保持和AB中的原子坐标一致，不再进行结构优化。（如将AB体系的 POSCAR 中删除 B 部分对应的点，元素数量改一下，得到 A 部分的 POSCAR）

(3) 计算电荷差分

上一步计算完成后，将会得到AB体系、片段A和片段B的共三个CHGCAR文件，然后就可以通过Vaspkit和VESTA两种方式处理得到差分电荷密度图。

i. 运行vaspkit，选择314，做电荷差分。

根据提示依次输入AB体系、片段A和片段B的CHGCAR文件所在的位置，就可以得到CHGDIFF.vasp文件。

将CHGDIFF.vasp文件在VESTA中打开，可以得到下图。其中，青色部分表示电荷密度减小，黄色部分表示电荷密度增加。

若要改变等值面的大小，可以在VESTA界面中点击Properties，在弹出的对话框Isosurfaces界面下，更改Isosurface level的值即可。

ii.VESTA处理。

将AB结构的CHGCAR文件使用VESTA打开后，在菜单栏中选择Edit/Edit Date/Volumetric Date。

点击import，导入片段A的CHGCAR文件，会出现choose operations的对话框，选择Subtract from current date点击OK即可。

重复同样的操作，再导入片段B的CHGCAR文件。最后点击OK。