禁带宽度是半导体十分重要的电子性质。普通的LDA和GGA方法计算带隙存在问题，一般低估1-2个电子伏特。解决的办法则是采用杂化泛函HSE给出更为准确的禁带宽度，HSE06是目前使用最广泛的方法。

本节介绍了在VASP中使用HSE06的计算方法。

计算文件的准备

准备四个输入文件：INCAR  KPOINTS  POSCAR  POTCAR

计算步骤

1. 结构优化（PBE）

2. 静态自洽scf计算（PBE）

3. 静态自洽scf计算（HSE06）

4. DOS计算（HSE06）

1、结构优化（PBE）

准备结构优化opt文件，内容包含INCAR KPOINTS POSCAR POTCAR四个输入文件，INCAR设置如下：

提交计算。

2、静态自洽scf计算（PBE）

优化完成后，执行命令cp -r opt scf，将opt文件复制为scf文件，将优化好的结构进行静态自洽scf计算（PBE）。KPOINTS和POTCAR文件不变，CONTCAR重命名为POSCAR，INCAR设置如下：

提交计算。

3、静态自洽scf计算（HSE06）

计算完成后，执行命令cp -r scf hse06scf，将scf文件复制为hse06scf文件。KPOINTS，POSCAR和POTCAR文件不变，采用上一步得到的波函数加快计算速度，同时添加杂化泛函参数。INCAR设置如下：

提交计算。

4、DOS计算（HSE06）

计算完成后，执行命令cp -r hse06scf hse06dos，将hse06scf文件复制为hse06dos文件。KPOINTS，POSCAR和POTCAR文件不变，采用上一步得到的波函数和电荷密度，同时添加DOS参数。INCAR设置如下：

提交计算。

数据处理

计算完成后运用vaspkit的111功能即可得到材料的态密度的dat文件，导入origin中作图即可得到该材料的态密度。