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巧用vaspkit作面平均电荷密度图
天玑智研814
第一性原理密度泛函理论DFTVASPVASPKIT材料计算电子结构差分电荷密度面平均差分电荷密度电荷转移成键分析催化材料MoN-CoVesta可视化Origin作图
差分电荷是文献中常见的内容,表示成键后的电荷密度与对应的成键前的原子电荷密度之差。通过差分电荷密度的计算和分析,可以清楚地得到在成键和成键电子耦合过程中的电荷移动以及成键极化方向等性质。但是差分电荷图难以清晰观察出电子转移的方向以及大小,面平均差分电荷密度图曲线帮助解决这一问题,可以定量的分析电荷转移。
以MoN-Co为例:
差分电荷文件获取
首先我们计算完差分电荷后,调用vaspkit314命令,得到CHGDIFF.vasp文件。

将该文件导入Vesta中,可观察到MoN-Co的差分电荷密度图,如图所示

面平均差分电荷文件获取
输入mv CHGDIFF.vasp CHGCAR命令,将文件命名为CHGCAR

运行vaspkit-316命令

输入3即可得到Z轴方向的PLANAR_AVEAGE.dat文件(一般是沿着Z轴建真空层)

作图
将PLPLANAR_AVEAGE.dat文件导入origin中作图,即可得到面平均差分电荷密度图。正值为得电子,负值为失电子。

把差分电荷图和面平均差分图导入到PS中,等比例调节大小,最后将差分电荷图图层的不透明度改为50%,即可得到下图。可以看出,两图结果一致。

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