本课程以“从材料结构到功率器件特性”为主线，用13讲串联半导体器件物理的核心知识：从晶体结构、能带与直接/间接带隙出发，深入平衡载流子浓度、漂移扩散、迁移率、复合与寿命，并进一步讲解寿命控制、功率MOSFET结构演化、CC/GD-MOSFET电荷耦合、超结以及IGBT开通与关断特性。它不仅解释公式，更强调物理图像与器件设计中的折衷：如何提高耐压、降低导通电阻、优化开关速度与漏电流。适合微电子、功率半导体、集成电路、电气工程等方向的学生、工程师和科研人员，也适合希望系统梳理半导体物理到功率器件应用链路的学习者。学完后，你将能理解载流子从哪里来、如何运动、如何复合，掌握迁移率、扩散、寿命等关键参数，并能分析MOSFET、CC/GD、超结和IGBT的结构与开关行为，为器件设计、工艺理解和应用选型打下扎实基础。